Мир технологий

SDRAM (англ. синхронной динамической памяти произвольного доступа - синхронная динамическая память с произвольным доступом) - тип запоминающего устройства, использующегося в компьютере в качестве ОЗУ.

В отличие от других типов DRAM, использовавших асинхронный обмен данными, ответ на поступивший в устройство управляющий сигнал возвращается не сразу, а лишь при получении следующего тактового сигнала. Тактовые сигналы позволяют организовать работу SDRAM в виде конечного автомата, исполняющего входящие команды. При этом входящие команды могут поступать в виде непрерывного потока, не дожидаясь, пока будет завершено выполнение предыдущих инструкций (конвейерная обработка): сразу после команды записи может поступить следующая команда, не ожидая, когда данные окажутся записаны. Поступление команды чтения приведёт к тому, что на выходе данные появятся спустя некоторое количество тактов - это время называется задержкой (англ. SDRAM задержки) и является одной из важных характеристик данного типа устройств.

Циклы обновления выполняются сразу для целой строки, в отличие от предыдущих типов DRAM, обновлявших данные по внутреннему счётчику, используя способ обновления по команде CAS перед RAS.

Первый стандарт SDRAM с появлением последующих стандартов стал именоваться SDR (Single Data Rate - в отличие от Double Data Rate). За один такт принималась одна управляющая команда и передавалось одно слово данных.

Тактовыми частотами были: 66, 100 и 133 МГц.

Микросхемы SDRAM выпускались с шинами данных различной ширины (обычно 4, 8 или 16 бит), но как правило, эти микросхемы входили в состав 168- пинного модуля DIMM, который позволял прочитать или записать 64 бита (в варианте без контроля чётности) или 72 бита (с контролем чётности) за один такт.

DDR SDRAM (от англ Double Data Rate синхронной динамической памяти произвольного доступа. Синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) - тип компьютерной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа SDRAM.

При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в SDRAM, за счёт считывания команд и данных не только по фронту, как в SDRAM, но и по спаду тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200 МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM). В спецификации JEDEC есть замечание, что использовать термин «МГц» в DDR некорректно, правильно указывать скорость «миллионов передач в секунду через один вывод данных».

Специфическим режимом работы модулей памяти является двухканальный режим.

Стандартное название:

DDR - 200

DDR - 266

DDR - 333

DDR - 400

Объем памяти до 1 Gb

DDR2 SDRAM - это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM. В 2010 была в значительной степени вытеснена памятью стандарта DDR3.

Стандартное название:

DDR2 - 400

DDR2 - 533

DDR2 - 667

DDR2 - 800

DDR2 - 1066

Объем памяти до 4 Gb

SDRAM DDR3 - Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер пред подкачки с 4 бит до 8 бит.

У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонких техпроцесса (в начале 90 - нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм)

Существуют вариант памяти DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных для DDR3 полутора вольт на 10%.

В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L -RS для смартфонов.

Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.

Стандартное название:

DDR3-1066

DDR3-1333

DDR3 -1600

DDR3 -1866

DDR3 -2133

Объем памяти до 16 Gb

DDR4 SDRAM - новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Основное отличие DDR4 заключается в удвоенном до 16 числе банков, что позволило вдвое увеличить скорость передачи - до 3,2 Гбит / с. Пропускная способность памяти DDR4 достигает 34,1 ГБ / с (в случае максимальной эффективной частоты 4266 МГц, определенной спецификациями). Кроме того, повышена надежность работы за счет введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Будет поддерживать эффективные частоты от 1600 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно в конце 2014 году. В январе 2011 года компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4 -2133 при напряжении 1,2 В.

• Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт / с

• Для памяти с частотой 4266 МГц - максимальная пропускная способность составит 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт / с